Intel Corporation şi Micron Technology Inc. au anunţat astăzi că au depăşit deja reperele propuse pentru programul lor de dezvoltare a proiectului joint venture în domeniul memoriei NAND flash, IM Flash Technologies. De la formarea IM Flash în ianuarie, companiile au pus în funcţiune o unitate de producţie de cea mai înaltă clasă, pentru memorii NAND pe 300 milimetri (mm), în Manassas, Virginia. O altă unitate de producţie pe 300 mm, situată în Lehi, Utah, urmează să devină operaţională la începutul anului viitor. Acest proiect comun produce la ora actuală memorii NAND prin unitatea deţinută de Micron în Boise, Idaho. În plus, Micron şi Intel au introdus în luna iulie pe piaţă primele mostre de memorie NAND flash realizate cu ajutorul tehnologiei de producţie pe 50 nanometri (nm). Ambele companii oferă acum dispozitive la 4 gigabit pe 50nm, cu planuri de a realiza o gamă de produse, inclusiv tehnologie NAND multi-level cell, începând de anul viitor. Astăzi, Intel şi Micron şi-au anunţat intenţia de a forma un nou joint venture (o companie cu capital mixt) în Singapore, care va adăuga o a patra unitate de producţie pe lista unităţilor lor care produc sisteme de memorie NAND flash, în funcţie de realizarea acordului final pentru crearea companiei. Unitatea de producţie a acestei companii din Singapore, care se estimează că va intra în producţie în a doua jumătate a lui 2008, va utiliza iniţial tehnologia de producţie pe 50 nm, pe wafere de 300 mm. Se estimează că lucrările pentru unitatea din Singapore vor începe în prima jumătate a anului viitor. "Micron are o îndelungată istorie în derularea afacerilor sale în Singapore, cu unitatea noastră de producţie de acolo, iar această decizie luată împreună cu Intel este o prelungire firească a experienţei pozitive pe care am avut-o în Singapore," a declarat Steve Appleton, Preşedinte şi CEO Micron. "Singapore oferă un lo